ARM首席执行官哈斯：英特尔错失关键机遇，追赶台积电难度陡增

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（来源：环球网资讯）

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【环球网科技综合报道】10月6日消息，ARM首席执行官雷内·哈斯（Rene Haas）在做客知名科技播客节目《All In Podcast》时，就英特尔与台积电的竞争态势发表了深度评论。他直言，英特尔因在移动芯片和极紫外光刻（EUV）技术两大关键领域的战略失误，已陷入“被时间惩罚”的困境，如今想要追赶台积电的领先地位“极其困难”。

哈斯特别提到，英特尔在21世纪中期错失了为苹果iPhone提供低功耗移动芯片的黄金机会。当时，英特尔凭借“Atom”低功耗SoC系列试图切入移动市场，但该系列芯片因性能和功耗平衡不足，未能满足苹果对产品能效的严苛要求。前英特尔首席执行官保罗·欧德宁（Paul Otellini）曾公开承认，拒绝为iPhone提供芯片是公司“犯下的最大错误之一”。这一失误直接导致英特尔在移动芯片市场全面溃败，而台积电则凭借为苹果代工A系列处理器迅速崛起，成为全球移动芯片制造的标杆。

哈斯进一步指出，英特尔在极紫外光刻（EUV）技术的采用上“延迟了近十年”，这一战略失误使其在先进制程竞赛中彻底落后。台积电自2015年起便投入EUV技术布局，而英特尔直到2021年才在Intel 4制程中引入该技术，导致其7nm制程量产时间比台积电的5nm晚了近两年。

“EUV是制造地球上最小芯片的先进方法，英特尔可能因决策迟缓错失了整整一代技术的红利。”哈斯强调。目前，台积电已凭借EUV技术实现3nm制程量产，并计划在2026年量产2nm工艺，而英特尔的Intel 18A（相当于1.8nm）制程虽引入背面供电网络等创新技术，但良率提升和客户信任度仍是其面临的核心挑战。（青山）